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云主机云服务器-获令和二年度全国发明表彰恩赐发明奖

时间:2021-01-09 16:22编辑:淘客樊里来源:淘客樊里当前位置:主页 > 混合云 >

东京--(BUSINESS WIRE)-(商业电线)--キクロシア株式会社在令和二年度全国发明表彰(主办:公益社团法人发明协会)中,荣获"超高密度三维闪存构造及其制造方法的发明"(专利5016832号)最高奖项的"恩赐发明奖"通知您做了什么。全国发明表彰是表彰以提高日本的科学技术和为产业发展做出贡献为目的、取得巨大功绩的发明、设计、或者设计、或者因其优秀性而期待在今后取得巨大功绩的发明等。本发明在令和元年中部地方发明表彰中获得了"文部科学大臣奖"。另外,高密度三维闪存被评价为其先驱和持续性的贡献,获得了2021 IEEE AndrewS.Grove Award。获奖内容恩赐发明奖基辛西亚株式会社 前端内存开发中心组长 鬼头杰基辛西亚株式会社 内存技术研究所资深专家 青地英明基辛西亚株式会社 前端内存开发中心中心中心长度附 胜又龙太基辛西亚株式会社 内存开发战略部参事 木藤大基辛西亚株式会社 前端内存开发中心参事 田中启安东芝原株式会社   仁田山晃宽发明实施功绩奖基辛西亚株式会社 董事长兼总经理 早坂伸夫获奖发明的概要闪存被用于智能手机和数据中心等保存数据的各种用途,预计今后需求还会扩大。以往的二维闪存,是将存储数据的最小单位内存单元平面配置的二维构造,通过细化内存单元,增加每单位面积的存储容量,实现了大容量化和低价格化。但是,近年来精细化迎来了物理界限。本发明采用了立体配置记忆单元的三维结构,通过增加层叠数实现了大容量化。另外,通过层叠存储单元的电极层,并统一形成用于配置存储单元的孔和孔内部的存储膜等,抑制制造工序数的增加,同时抑制了大容量化和制造成本的抑制。闪存市场正在从二维结构向三维结构进行置换,三维结构成为现在的主力产品,其制造使用了本次获奖专利中所包含的技术。本公司于2015年推出了48层三维闪存"BiCS FLASH"™」产品化以来,与64层、96层进行高层叠化,大容量、高性能的三维闪存"BiCS FLASH"™」提供服务。

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